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BE-T500膜厚測(cè)試儀

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng)沈陽(yáng)北博電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地沈陽(yáng)市
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2024/12/9 21:36:21
  • 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)26
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沈陽(yáng)北博電子科技有限公司是在原半導(dǎo)體器件制造公司和激光自動(dòng)化控制公司基礎(chǔ)上,整合相關(guān)技術(shù)、市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)資源,致力于專(zhuān)業(yè)研發(fā)制造半導(dǎo)體分立器件和MEMS工藝元件制造的設(shè)備和測(cè)試儀器,以及相關(guān)元器件設(shè)計(jì)、工藝、封測(cè)的高科技公司。 公司擁有多位硅平面工藝器件、硅MEMS工藝元件的設(shè)計(jì)、工藝、封測(cè)以及高可靠領(lǐng)域的學(xué)者專(zhuān)家作為顧問(wèn),擁有多位半導(dǎo)體設(shè)備儀器制造、激光應(yīng)用設(shè)備制造、精密自動(dòng)控制、數(shù)碼編程控制的研發(fā)生產(chǎn)工程技術(shù)人員,多年來(lái)在相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)市場(chǎng)生產(chǎn)可靠性設(shè)計(jì)質(zhì)量控制等方面有著豐富的經(jīng)驗(yàn)積累。 公司現(xiàn)研發(fā)可提供的主要產(chǎn)品有: 半導(dǎo)體分立器件自動(dòng)半自動(dòng)芯片中測(cè)設(shè)備,半導(dǎo)體芯片的燒結(jié)、壓焊設(shè)備,半導(dǎo)體分立器件的封裝設(shè)備,半導(dǎo)體分立器件的老化篩選設(shè)備,半導(dǎo)體分立器件綜合參數(shù)測(cè)試儀;硅壓力傳感器硅杯腐蝕清洗系統(tǒng),硅壓力傳感器芯片參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),硅壓力傳感器靜電封接系統(tǒng),硅壓力傳感器充硅油設(shè)備,硅壓力傳感器全溫區(qū)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng);產(chǎn)品標(biāo)識(shí)激光打標(biāo)機(jī),硅片綠激光自動(dòng)標(biāo)記系統(tǒng),生產(chǎn)線(xiàn)自動(dòng)打標(biāo)及數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng),激光半自動(dòng)調(diào)阻機(jī),精密激光切割設(shè)備,精密激光焊接設(shè)備,激光清洗設(shè)備;公司同時(shí)可為客戶(hù)定制相關(guān)領(lǐng)域的各種工藝的生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備儀器和自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)等。 公司擁有可供使用的13300平米工業(yè)建設(shè)場(chǎng)地,3000平米生產(chǎn)裝配廠(chǎng)房,2000平米的設(shè)計(jì)研發(fā)實(shí)驗(yàn)中心,可滿(mǎn)足年產(chǎn)200臺(tái)套整機(jī)設(shè)備的制造條件。 公司市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)與售后服務(wù)部門(mén)擁有完整成熟的服務(wù)體系和標(biāo)準(zhǔn)化的服務(wù)流程,傾力為顧客提供???專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持和暖心的售前售中售后服務(wù)!
激光切割機(jī)
紅外厚度測(cè)量?jī)x采用光學(xué)干涉原理、非接觸測(cè)量折射率較大或者厚度較大的樣品,比如硅晶圓、鈮酸鋰、鉭酸鋰等,測(cè)量分辨率達(dá)到納米量級(jí)。該儀器具有測(cè)量迅速、操作簡(jiǎn)單、結(jié)果穩(wěn)定、用戶(hù)使用界面易于操作等特點(diǎn),是目前市場(chǎng)上性?xún)r(jià)比優(yōu)良的厚度測(cè)量?jī)x之一??捎糜陔x線(xiàn)或在線(xiàn)厚度的實(shí)時(shí)測(cè)量。
BE-T500膜厚測(cè)試儀 產(chǎn)品信息

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

 紅外厚度測(cè)量?jī)x采用光學(xué)干涉原理、非接觸測(cè)量折射率較大或者厚度較大的樣品,比如硅晶圓、鈮酸鋰、鉭酸鋰等,測(cè)量分辨率達(dá)到納米量級(jí)。該儀器具有測(cè)量迅速、操作簡(jiǎn)單、結(jié)果穩(wěn)定、用戶(hù)使用界面易于操作等特點(diǎn),是目前市場(chǎng)上性?xún)r(jià)比優(yōu)良的厚度測(cè)量?jī)x之一??捎糜陔x線(xiàn)或在線(xiàn)厚度的實(shí)時(shí)測(cè)量。 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 全光學(xué)非接觸式測(cè)量,無(wú)須破壞樣品或做前處理

  • 高速、高靈敏度、高精確度、高重復(fù)性測(cè)量

  • 采用近紅外光(NIR),每個(gè)波長(zhǎng)的測(cè)量功率更高

  • 雙光路設(shè)計(jì),以增加探測(cè)光路強(qiáng)度

  •  包含顯微成像系統(tǒng),方便準(zhǔn)確定位測(cè)量部位

  • 可以測(cè)量玻璃蓋板下面硅基的厚度

  • 高動(dòng)態(tài)范圍,對(duì)表面缺陷和粗糙度不敏感,可測(cè)量不規(guī)則表面

  • 能夠在濕法蝕刻過(guò)程中進(jìn)行原位測(cè)量


技術(shù)參數(shù) 

  • 測(cè)量類(lèi)型 含顯微成像系統(tǒng) 不含

  • 波長(zhǎng)范圍 950-1100nm

  • 分辨率/波長(zhǎng)間隔 0.12nm/0.04nm

  • 探測(cè)器 Toshiba,3648 Pixels CCD

  • 積分時(shí)間 4ms-60s

  • 信噪比 優(yōu)于 300:1(飽和時(shí))

  • 可測(cè)量厚度(n=3.5) 5µm-500µm

  • 可測(cè)量厚度(n=1.5) 10µm-1400µm

  • 使用光源 近紅外

  • 分辨率 1nm

  • 準(zhǔn)確度 小于±0.5%或者 0.5µm(取較大值)

  • 重復(fù)性 小于±0.1%或者 0.1µm(取較大值)

  • 測(cè)量模式 反射法

  • 入射角度 90°

  • 測(cè)試材料 硅晶圓等

  • 工作距離 約為 25mm(物鏡前端至樣品表面)

  • 測(cè)量視野 小于 500µm

  • 測(cè)量時(shí)間 小于 50ms

  • 數(shù)據(jù)通信接口 USB2.0

  • 電源 AC220V±10%/50Hz±0.1%

  • 尺寸 250x 90x 280mm(寬 x 高 x 深)

  • 操作系統(tǒng) Windows7/Windows10


設(shè)備支持定制,詳細(xì)資料請(qǐng)聯(lián)系營(yíng)銷(xiāo)人員獲取。



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